前段時間，一汽紅旗宣布今年他們將有2款SiC車型上市，最近他們又公布了在碳化硅領(lǐng)域的新突破：
●完成主驅(qū)碳化硅模塊試制，采用2in1塑封，寄生電感≤6.5nH，輸出電流達550A；
●采用全國產(chǎn)1200V SiC MOSFET，比導(dǎo)通電阻3.15mΩ·cm2，導(dǎo)通電流達120A。
那么，一汽紅旗采用的是哪家國產(chǎn)SiC MOSFET？未來有哪些上車規(guī)劃？
紅旗完成主驅(qū)SiC模塊試制
采用國產(chǎn)SiC MOSFET
4月3日，“紅旗研發(fā)新視界”官微發(fā)文稱，他們完成了首款全國產(chǎn)電驅(qū)用1200V塑封2in1碳化硅功率模塊A樣件。
據(jù)紅旗公司介紹，這款主驅(qū)碳化硅模塊采用了國產(chǎn)SiC MOSFET，通過應(yīng)用高密度高可靠元胞結(jié)構(gòu)、芯片電流增強技術(shù)、高可靠碳化硅柵氧制備工藝、精細(xì)結(jié)構(gòu)加工工藝等，該芯片的比導(dǎo)通電阻達到3.15mΩ·cm2，導(dǎo)通電流達到120A，技術(shù)指標(biāo)達到國際先進水平。
碳化硅模塊方面，紅旗表示，他們采用了行業(yè)領(lǐng)先的三端子母排疊層結(jié)構(gòu)、高可靠銅線互聯(lián)技術(shù)與高散熱橢圓PinFin散熱水道，并且配合大尺寸環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)模塑封與高耐溫銀燒結(jié)芯片貼裝工藝，使得模塊的寄生電感≤6.5nH，模塊持續(xù)工作結(jié)溫175℃，輸出電流有效值達到550A。
電驅(qū)方面，紅旗汽車自主研發(fā)了國際領(lǐng)先的紅旗HSM高效電驅(qū)系統(tǒng)，該系統(tǒng)獨創(chuàng)的超輕高磁密碳纖維轉(zhuǎn)子、超高頻高功率SiC模塊、主被動噪音抑制等技術(shù)，實現(xiàn)引領(lǐng)全球的95.5%系統(tǒng)效率和“零”感知噪音。
據(jù)了解，一汽紅旗2023年將有2款SiC車型上市，分別為轎車E001、SUV E202。
一汽紅旗表示，國內(nèi)電驅(qū)用碳化硅功率半導(dǎo)體仍然掌握在少數(shù)國外企業(yè)手中，為實現(xiàn)碳化硅技術(shù)“黑轉(zhuǎn)白”，他們以央企合作的模式，圍繞新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料方面開展自主技術(shù)攻關(guān)，真正實現(xiàn)了襯底、外延、芯片、封裝與模塊試制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)全流程國產(chǎn)化，實現(xiàn)了自主可控。
供應(yīng)商中電科55所
SiC MOS已搭載100萬臺車
據(jù)一汽紅旗介紹，他們的碳化硅模塊是由紅旗研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部以及中電科55所聯(lián)合開發(fā)。
實際上，中電科集團曾于3月21日在官網(wǎng)上提到，他們的科研人員正在對照新能源汽車龍頭企業(yè)提出的電驅(qū)用大電流碳化硅MOSFET芯片需求，進行高電流密度碳化硅器件設(shè)計、高穩(wěn)定性晶圓生產(chǎn)控制等關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。
除了主驅(qū)外，在此之前，中電科55所碳化硅MOSFET已經(jīng)被其他國內(nèi)車企所采用，據(jù)悉目前的產(chǎn)品裝車量達百萬臺。
今年3月，中國電科首席專家柏松在接受新華日報采訪時表示，他們已經(jīng)在碳化硅領(lǐng)域建立完善了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅JBS二極管、MOSFET等芯片工藝，形成了650V-6500V系列產(chǎn)品。而且，他們團隊于2022年成功推出第二代碳化硅MOSFET產(chǎn)品，與第一代產(chǎn)品相比，芯片面積減少30%，導(dǎo)通損耗降低15%，電能轉(zhuǎn)換效率顯著提。
來源：行家說三代半