▍愛(ài)仕特與瑞福芯科技簽訂碳化硅合作協(xié)議

近日，深圳愛(ài)仕特科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“愛(ài)仕特”）與安徽瑞福芯科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞福芯科技”）簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。基于雙方簽署的戰(zhàn)略合作協(xié)議，在未來(lái)數(shù)年內(nèi)瑞福芯科技生產(chǎn)的SiC MOS模塊將全部采用愛(ài)仕特的SiC MOS芯片，愛(ài)仕特將為瑞福芯科技批量供應(yīng)車(chē)用功率模塊所需的1200V/17毫歐及1700V/17毫歐的SiC MOS芯片，并協(xié)助瑞福芯科技建設(shè)模塊工廠(chǎng)，保證其后續(xù)的量產(chǎn)需求。目前愛(ài)仕特的1200V/800A DCM模塊已交付瑞福芯科技，在西南某新能源車(chē)廠(chǎng)定點(diǎn)測(cè)試，預(yù)計(jì)今年開(kāi)始批量裝車(chē)。據(jù)悉，福瑞芯科技由上市公司南京商絡(luò)投資，一期建立預(yù)計(jì)年產(chǎn)30萬(wàn)只的模塊工廠(chǎng)，主要產(chǎn)品為車(chē)用SiC MOS功率模塊。

▍蓋澤半導(dǎo)體首臺(tái)國(guó)產(chǎn)SiC外延膜厚測(cè)量設(shè)備順利交付

目前，華矽蓋澤半導(dǎo)體科技（上海）有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“蓋澤半導(dǎo)體”）自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延膜厚測(cè)量設(shè)備GS-M06Y已正式交付客戶(hù)。GS-M06Y將應(yīng)用于半導(dǎo)體前道量測(cè)，主要針對(duì)硅外延/碳化硅外延層厚度進(jìn)行測(cè)量。GS-M06Y設(shè)備采用了蓋澤半導(dǎo)體自主研發(fā)的高精算法、Load Port、控制軟件以及FTIR光路系統(tǒng)。公司自主研發(fā)的FTIR光路系統(tǒng)，可快速檢測(cè)晶圓厚度，實(shí)現(xiàn)了掃描速度快、分辨率高、靈敏度高等需求。

據(jù)悉，此次出貨的設(shè)備與以往不同，此臺(tái)設(shè)備運(yùn)用蓋澤半導(dǎo)體最新研發(fā)的碳化硅外延檢測(cè)技術(shù)，可對(duì)碳化硅外延精準(zhǔn)測(cè)量，是繼蓋澤半導(dǎo)體9月硅外延檢測(cè)設(shè)備出貨后，公司的又一里程碑。蓋澤半導(dǎo)體不僅突破了SiC外延檢測(cè)技術(shù)，還可實(shí)現(xiàn)一代半導(dǎo)體（硅外延6英寸&8英寸&12英寸）、二代半導(dǎo)體（砷化鎵、磷化銦襯底外延4英寸&6英寸&8英寸）、三代半導(dǎo)體（碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化鎵外延）、SOI片頂層硅6英寸&8英寸&12英寸，以及鍺硅外延制程工藝中不同的外延層厚度測(cè)量。

▍宇環(huán)數(shù)控：碳化硅設(shè)備部分環(huán)節(jié)已有樣機(jī)、現(xiàn)處于技術(shù)指標(biāo)驗(yàn)證階段

近日，宇環(huán)數(shù)控在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司碳化硅設(shè)備可參與到碳化硅材料加工的晶錠端面磨削，晶錠外圓磨削、磨參考邊，晶圓片雙面減薄、拋光等工序，部分環(huán)節(jié)已有樣機(jī)、現(xiàn)處于技術(shù)指標(biāo)驗(yàn)證階段；部分環(huán)節(jié)的設(shè)備仍在研發(fā)中。公司碳化硅設(shè)備尚未取得客戶(hù)訂單，公司技術(shù)研發(fā)進(jìn)展和客戶(hù)驗(yàn)證結(jié)果均存在較大不確定性。

來(lái)源：吳晰 芯TIP